열전

게르마늄 및 실리콘이 합금된 납 텔루라이드 - 열전도율

납 텔루라이드 물질인 PbTe-Ge 및 PbTe-Ge1-xSix의 경우, Ge에 Si를 합금하고 Ge 함량을 낮춤으로써 열전도도를 쉽게 조절할 수 있다 [2] .

아래에 제시된 결과는 25°C에서 320°C 사이의 온도 범위에서 얻어진 것이다. 그래프 A는 Ge가 PbTe의 격자 전도도에 상당한 영향을 미친다는 것을 보여줍니다. Ge 함량이 감소함에 따라 전체 온도 범위에서 격자 전도도가 감소합니다. 또한, PbTe-Ge(20%) 조성에 Si를 합금화하면 격자 전도도가 더욱 감소하는 것을 관찰할 수 있습니다(그래프 B). Ge와 Si의 혼합 비율을 일정하게 유지한 상태에서 Ge0.8Si0.2 함량을 감소시킬 때도 유사한 경향을 확인할 수 있습니다(그래프 C). 그래프 D는 5% Ge-/Ge-Si 비율이 최적의 격자 열전도도를 달성함을 보여줍니다.

[2] Sootsman, Joseph R.; He, Jiaqing; Dravid, Vinayak P., Li, Chang-Peng; Uher, Ctirad; Kanatzidis, Mercouri G. 높은 열전 성능 지수 및 개선된
용융 급냉된 PbTe–Ge 및 PbTe–Ge1-xSix 공융 및 과공융 복합재의 향상된 기계적 특성, J. Appl. Phys. (2009), 105, 083718. ( LFA 457 MicroFlash^®® 를 이용한 측정)