Фотовольтаика
Тонкопленочная фотовольтаика
CuGaSe2 с полосовой щелью 1,68 эВ является перспективным материалом для тонкопленочной фотовольтаики, поскольку может выступать в качестве верхнего элемента в фотоэлектрическом тандеме с CuInSe2 в качестве нижней ячейки.
CuGaSe2 был синтезирован из Cu, Ga и Se, взятых в стехиометрических количествах.
При 450°C по изотопному распределению между m/z 230 и m/z 245 обнаружено испарение Se3, что указывает на нестехиометрический материал.
Присутствие йода показывает, что он использовался в качестве минерализатора для синтеза. Присутствие Se при температурах выше 900°C связано с термической деструкцией CuGaSe2.
Для контроля стехиометрии необходимо регулировать давление паров Se. (измерение с помощью QMS 403/5 SKIMMER®)
