Donna alla guida di un'auto con particolare attenzione alla tecnologia di riconoscimento facciale, che mostra le linee di analisi per i sistemi di monitoraggio dei conducenti.

10.09.2024 by Aileen Sammler

Ottimizzazione della produzione di dispositivi a semiconduttore

Una relazione sul campo del Dr. Christian Dreier e del Dr. Sven Hüttner, ingegneri dello sviluppo presso Vishay Semiconductor GmbH

Quando si tratta di analizzare le proprietà meccaniche e il comportamento viscoelastico dei polimeri in varie condizioni e di fare previsioni affidabili sulle loro prestazioni e durata a lungo termine, gli strumenti analitici di NETZSCH Analyzing & Testing sono solitamente a portata di mano.

Leggete la nostra nuova Customer Success Story per scoprire come Vishay Semiconductor GmbH utilizza l'analizzatore dinamico-meccanico (DMA) NETZSCH e il reometro rotazionale Kinexus per prevedere la durata e la stabilità dei materiali polimerici utilizzati nei dispositivi a semiconduttore.

NETZSCH Il ruolo dell'analisi e dei test nei successi dei clienti

Scoprite le diverse applicazioni dei nostri strumenti, dall'analisi termica e reologica alla prova del fuoco.

Testimoniate in prima persona la soddisfazione dei nostri clienti e capite perché NETZSCH Analyzing & Testing rimane un partner affidabile e fidato per i suoi clienti, guidandoli verso l'eccellenza.

Quali sfide hanno dovuto affrontare queste aziende prima di scegliere NETZSCH? Quali problemi stavano affrontando con le nostre soluzioni? E come i nostri strumenti li hanno aiutati ad affrontare le loro sfide specifiche nella ricerca, nel controllo qualità, nello sviluppo o nella produzione?

Per saperne di più, visitate la sezione del nostro nuovo sito web:

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    • Accessori per diverse modalità di misura e una vasta gamma di supporti per provini
  • Kinexus Prime lab+

    Reometro rotazionale per il controllo qualità con procedura operativa standard (SOP)

    • Intervallo di coppia - viscosimetria: da 5,0 nNm a 200 mNm
    • Intervallo di coppia - oscillazione: da 5,0 nNm a 200 mNm
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