19.06.2023 by Andrew Gillen, Aileen Sammler
Az első NETZSCH PicoTR sikeres telepítése a déli féltekén
A Wollongongi Egyetem, Ausztrália (UOW)a világ egyik legjobb modern egyeteme, amely kiválóságot kínál a tanítás, a tanulás és a kutatás terén. A szupravezető és elektronikus anyagok intézete (ISEM) egy világszínvonalú, együttműködő csoport, amely a szupravezető és elektronikus anyagok tudománya és technológiája terén folytat kutatásokat.
Xiaolin Wang kiváló professzor vezeti az ISEM-et. Csoportja élénken érdeklődik a szélsőségek világa iránt: Az anyagok jellemzése ultravékony filmekben és ultranagy nyomású környezetben. 2023 júniusában a NETZSCH Japan, K.K. és a NETZSCH Australia Pty Ltd. munkatársaival közösen telepítették az első PicoTR hőelemző rendszert a déli féltekén.
NanoTR és a PicoTR a vékonyrétegek hőelemző rendszerei. Ezek a világ első olyan analizátorai, amelyek nagy pontosságú méréseket végeznek a fém-, oxid-, szerves és egyéb filmek termofizikai tulajdonságairól.
A határok feszegetése: Forradalmi kutatások szokatlan jelenségeket tárnak fel a feltörekvő anyagokban és eszközökben
2022-ben a Wollongongi Egyetem ISEM egy egyedülálló ausztrál kutatási létesítmény létrehozására kapott támogatást: Nagy hatékonyságú vékonyrétegek termofizikai tulajdonságelemzőjének és az anyagok és eszközök gyártásához és jellemzéséhez ultramagas nyomáson történő előállításához és jellemzéséhez szükséges eszközök teljes csomagjának kombinációja.
Ez a kivételesen átfogó és sokoldalú eszközkészlet elősegíti az együttműködésen alapuló tevékenységeket Ausztráliában és világszerte, támogatva az áttörést jelentő kutatásokat a topológiai szigetelők, szupravezetők, spintronikus anyagok, alacsony energiájú eszközök, egy- és kétdimenziós mikro- és nanoanyagok, akkumulátorok és biomagnetikus anyagok új, nem hagyományos jelenségeinek felfedezésére.
Számos anyag funkcionalitása döntően attól függ, hogy képes-e szélsőséges körülmények között működni, számos alkalmazás esetében az energiatermelésben, a barokalorikus hűtésben és a fúziós vagy űrtechnológiában használt szerkezeti anyagokban. Jelenleg nagy hangsúlyt kapnak a van-der Waals-vegyületekből származó anyagok újonnan megjelenő ultravékony és 2D-s formái.
NETZSCH örömmel vesz részt ezekben az úttörő kutatási tevékenységekben: Így 2023. június 9-én a PicoTR x-Y színpaddal és hőmérséklet-szabályozó rendszerrel (-100 - 500°C) felszerelt rendszert sikeresen telepítette a Wollongongi Egyetem ISEM-ében a NETZSCH.
Az eredetileg a japán National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) által kifejlesztett NETZSCH PicoTR termofizikai tulajdonságelemző készülék egy egyedülálló műszer, amelyet kifejezetten a 10 nm...1 µm-es tartományban lévő vékonyrétegek Hővezető képességA hővezető képesség (λ, mértékegysége W/(m-K)) az energia - hő formájában történő - szállítását írja le egy tömegtestben a hőmérséklet-gradiens hatására (lásd az 1. ábrát). A termodinamika második törvénye szerint a hő mindig az alacsonyabb hőmérséklet irányába áramlik.hővezető képességének, hővezető diffúziós képességének, hőteljesítményének és rétegközi hőellenállásának mérésére terveztek.
Az alkalmazások közé tartoznak:
- Termoelektromos anyagok, napelem, üzemanyagcella, OLED.
- Félvezető memória, tárolás, fémek, FeRAM, MRAM, PRAM, LSI, teljesítményeszközök, fázisváltó és mágneses rögzítő film, diffúziós gátfilm.
- LED, kerámia kompozitok, elektronika, szigetelőfilmek gyantái, átlátszó vezető filmek FPD-khez, rétegközi dielektrikumok, kapuszigetelők.
PicoTRkorszerű jelfeldolgozási technológiája lehetővé teszi a nagy sebességű méréseket. Ezzel a termoreflektancia-készülékkel egy 0,5 mp-es impulzusszélességű lézerimpulzust sugároznak periodikusan a mintára. Az így kapott hőmérsékleti választ egy impulzuslézerre (szondalézer) alkalmazzuk. Az ismétlődő jelek nagy sebességű integrálásával kiváló s/n arány érhető el. A szoftveren keresztül könnyen át lehet váltani az RF és FF konfigurációk között a minták széles skálájához.
Tudjon meg többet a NETZSCH PicoTR itt.
Tudjon meg többet a University of Wollongong ISEM-ről itt.
